精密電子元（yuán）件對微米級結構的依賴，推動蝕刻技術向更高（gāo）精（jīng）度與（yǔ）材料兼容性演進，成為芯片（piàn）、傳感器等（děng）器件（jiàn）的製（zhì）造基石。

高（gāo）密度互（hù）連（HDI）板加工

• 盲孔與埋孔蝕刻：通過激（jī）光鑽孔+化學蝕刻（FeCl₃溶液）形成直徑50微米、深寬比1:1的微孔，實現20層PCB的垂直互連。

• 銅線路（lù）精細化：幹膜掩膜結合酸性蝕刻液（H₂SO₄/H₂O₂），線（xiàn）寬精度±2微米，用於5G基站高頻電（diàn）路板。

MEMS傳感（gǎn）器蝕刻突破

• 矽深反應離子蝕刻（DRIE）：交替使用SF₆刻蝕與C₄F₈鈍化，加工加速度計中200微米深、側壁（bì）垂直度＞89°的懸臂梁結（jié）構。

• 玻璃通孔（TGV）蝕刻：氫氟酸氣相蝕刻在硼矽玻璃上形成直徑10微米（mǐ）通孔，用（yòng）於三維（wéi）封裝中介層。