蝕刻Logo標（biāo）識的製造是基於材（cái）料選擇性去除的（de）精密工藝，其技術路徑根據基材特性與功能需求分為化學蝕（shí）刻、激光蝕刻及等離（lí）子（zǐ）體蝕刻三大類。

化學蝕刻的工藝流程
化學蝕刻適用於金屬、玻璃及部分高分子材（cái）料。以不鏽鋼Logo標識為例（lì），其核心流程包括：

1. 基（jī）材預處（chù）理：通過堿性溶（róng）液除油、酸性（xìng）溶液去除氧化（huà）層，確保表麵（miàn）潔淨度與活化狀態。

2. 掩膜製備：光刻膠塗覆後，紫外曝光顯影形（xíng）成Logo圖案，或采用絲網印刷耐酸油墨（mò）直接定義（yì）保護區域。

3. 蝕刻反應：將基材浸入蝕刻液（yè）（如三氯化鐵溶液蝕刻不鏽鋼），未受保（bǎo）護區域發生氧化還原反（fǎn）應，金屬以（yǐ）離子形式溶解。

4. 後（hòu）處理：去除掩膜後，通過電解拋光（guāng）消除（chú）微觀毛刺（cì），或進行PVD鍍層（céng）增強表麵功能性。

激光蝕刻的非接觸加工特性（xìng）
激光（guāng）蝕刻通過高能光束直接作用於材料表麵，適用於複雜曲麵或脆（cuì）性（xìng）基材。在鈦合金Logo加工中（zhōng），飛（fēi）秒激光脈衝產（chǎn）生光熱效應，使材料（liào）瞬間氣化（huà）形成凹痕。通過調整激光功率與掃描速度，可控製蝕刻深度在（zài）微米級，並生成灰度漸變效果（guǒ）。紫外激光（guāng）（波長355 nm）因光子能量高，尤其適合加工聚合物材料（如聚碳酸酯），避免（miǎn）熱影（yǐng）響區導致的邊緣碳化。

等離子體蝕（shí）刻（kè）的高（gāo）精度優勢
等離子體蝕刻在半導體級Logo加工中占據核心地位。以矽晶圓上的企業標識為例，通過光刻定義圖案後，氟基氣體（如SF₆）在射頻電場中電（diàn）離生成活性離子，轟擊暴露的（de）矽表麵形成揮發性（xìng）產物（SiF₄）。各（gè）向異性蝕刻能（néng）力（lì）確保Logo邊（biān）緣垂直度優於89°，側壁粗糙（cāo）度低於50 nm，滿足芯片封裝追溯標識的精度要求。

技（jì）術選型邏輯

• 金屬標識：化學蝕刻兼（jiān）顧效率與（yǔ）成本，適合（hé）批量生（shēng）產；

• 玻璃/陶瓷標（biāo）識：激光（guāng）蝕刻可（kě）實現內部三（sān）維雕刻；

• 微電子標識：等離（lí）子體蝕刻滿（mǎn）足納（nà）米級（jí）精度需求（qiú）。