技（jì）術（shù）概述

　　精密蝕刻加工是通過化學或物理方法選擇性去除材料的製造工藝。該技術（shù）可實現0.01mm級別的加工精度，適用於厚度0.02-1.0mm的金屬材料加工。主要分為濕（shī）法蝕刻和幹法蝕刻兩類工藝路線。

　　工藝原理

　　化學（xué）蝕刻：利用三氯化鐵、硝酸等溶液與金（jīn）屬發生氧化還原反應

　　蝕（shí）刻速率：0.01-0.15mm/min

　　溫度控製（zhì）範圍：30-50℃

　　溶液濃（nóng）度波動允許值：±2波美度

　　物理蝕（shí）刻：采用（yòng）等離子體轟擊材料表麵

　　工作真空度：10-3-10-4Pa

　　射頻功率：200-500W

　　氣體流量：20-50sccm

　　工藝流程

　　材料預（yù）處理

　　堿性脫脂：氫氧化鈉濃度5%，溫度60℃

　　酸洗活化：鹽酸（suān）濃度15%，時間2min

　　水洗（xǐ）：電阻率≥15MΩ·cm

　　圖形轉移（yí）

　　光刻膠厚度：10-50μm

　　曝光能量：80-120mJ/cm²

　　顯影時（shí）間：60-90s

      蝕刻加工

　　蝕刻深度控製精度：±0.005mm

　　側壁角度：85-89°

　　均勻性偏差：≤5%

　　後處理

　　去膠溶液：丙（bǐng）酮與（yǔ）異丙醇混合液

　　鈍化處理（lǐ）：鉻酸鹽溶液濃度3%

　　幹燥條（tiáo）件：80℃氮氣環境（jìng）

　　設備參數

　　蝕刻機

　　工作幅麵：600mm×800mm

　　溫度控製精度：±0.5℃

　　溶液循（xún）環流量：5-10L/min

　　光刻設備

　　對準精度：±1μm

　　光源波長：365nm

　　最大（dà）曝光麵積：400mm×500mm

　　檢測儀器

　　光學顯微鏡放大倍數：50-1000X

　　輪（lún）廓儀測量範圍（wéi）：0-100μm

　　表麵粗糙度儀分（fèn）辨率：0.01μm

　　應用實例

　　電子工業

　　引（yǐn）線框架：銅材厚度0.15mm

　　柔性電路板（bǎn）：線寬/間（jiān）距0.05mm

　　半導體（tǐ）封裝：加工精度±0.002mm

　　醫療器（qì）械

　　手術刀片：刃（rèn）口角（jiǎo）度25°

　　血管支架：壁厚0.08mm

　　微流控芯片：通（tōng）道寬度0.1mm

　　光（guāng）學元件

　　衍射光柵：周期0.5μm

　　編碼器盤片（piàn）：刻線精度±0.001°

　　濾光片：通孔直徑0.03mm

　　技術指（zhǐ）標

　　加工能（néng）力

　　最小特征尺寸：0.01mm

　　最（zuì）大深寬比：1:5

　　材料去除（chú）率：0.1-1.0mm³/min

　　質量控製

　　尺寸公差：±0.005mm

　　表麵粗糙度：Ra0.1-0.4μm

　　邊（biān）緣毛刺高度：≤0.005mm

　　發展趨勢

　　工藝（yì）改進方向

　　蝕刻速（sù）率提（tí）升20-30%

　　側壁角度控製±0.5°

　　材（cái）料利用率提高至95%

　　設備（bèi）升級路徑

　　自動化程度提升

　　能（néng）耗降（jiàng）低15-20%

　　占地麵積減少30%

　　環保要求

　　廢液處理達標率100%

　　化學試劑用量減少40%

　　能耗指標下降25%