蝕刻工藝基本原理

　　蝕刻是通過化學或物理方法去（qù）除（chú）材料表麵（miàn）特定區域（yù）的技術。該工藝利用腐蝕性溶（róng）液或等離子體與材（cái）料（liào）發生反應。材料暴露部分發生溶解，被保護（hù）部分保持原狀。反應過程受溫度、濃度和時間三個參數控製。

　　工藝流程（chéng）分解

　　基板清洗：使用丙酮、酒精或（huò）去離子水去（qù）除表麵汙染物

　　光（guāng）刻膠塗覆：旋轉塗布法在基板表麵形成（chéng）均勻光阻層

　　曝光顯影：紫外線通過掩模版照射，溶解未曝光區（qū）域光阻

　　蝕刻處理：將基板浸（jìn）入蝕刻液或置於等離子體反應室

　　去膠清洗：使（shǐ）用專用（yòng）溶劑去除殘餘光阻

　　質量檢驗：顯微鏡檢（jiǎn）查線寬精度（dù）和表麵形貌

　　化學蝕刻方法（fǎ）

　　硝酸-氫氟酸（suān）混合液用（yòng）於矽片蝕刻 三（sān）氯化鐵溶液適用於銅電路板加工 氫氧化鉀溶液可進行各向異性矽蝕刻（kè） 鹽酸-過（guò）氧（yǎng）化氫體係用於金屬表麵處理（lǐ）

　　物理蝕刻技術

　　反應離子蝕刻（kè）通過（guò）等離子（zǐ）體轟（hōng）擊材料表麵 濺射蝕刻利用惰性氣體離子物理撞擊（jī） 激光蝕刻（kè）采用高能光（guāng）束汽化材料 幹法蝕刻在（zài）真空環境下進行（háng）

　　精度控（kòng）製要素

　　掩模版對準精度影響（xiǎng）圖形位置 蝕刻液濃度決定反應速率 溫度波動導致（zhì）蝕刻不均勻（yún） 時間控製影響側壁垂直度

　　工業應用領域

　　半導體晶圓製造需要亞微米級蝕刻 印刷電路板生產采用批量（liàng）蝕刻（kè）工藝 金屬（shǔ）標牌製（zhì）作使用大麵積蝕刻技術 微機電係統依賴高深寬（kuān）比（bǐ）蝕刻（kè）

　　工藝發展趨（qū）勢

　　原子層蝕刻（kè）實現單原子層去除 納米壓印結合蝕（shí）刻降低生產成本 自停（tíng）止蝕刻技術提高製程可控性 環境友好型（xíng）蝕刻劑研（yán）發持續推（tuī）進